CMOS器件p、γ、β辐照损伤等效剂量分析计算Theoretical Analysis and Computer Calculation of the Equivalent Dose of p,γ,β Irradiation Damages on CMOS Electronic Device
郁金南,杨文,郁刚,陈伊轫,许淑艳
摘要(Abstract)：
建立了CMOS电子元器件中质子、电子和光子辐照损伤 (电子 空穴对和离位原子浓度 )计算模型。利用微机化的电子 光子簇射过程模拟程序EGS4和TRIM程序分别计算了电子 ( β)、光子 (γ)和质子 ( p)辐照在CMOS器件各层中产生的电子 空穴对和离位原子浓度。计算结果表明 ,在CMOS器件桥结绝缘层中 ,电子产生的电子 空穴对和离位原子浓度最高 ,光子次之 ,质子最低 ,这表明电子辐照损伤最高 ,光子次之 ,质子最小。
关键词(KeyWords)： CMOS器件;辐照损伤;等效剂量;EGS4和TRIM程序
基金项目(Foundation):
作者(Author): 郁金南,杨文,郁刚,陈伊轫,许淑艳
参考文献(References)：
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